收藏本站
Si6404DQ
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.015
6000
0.012
0.009
0.006
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
5000
4000
3000
2000
C iss
0.003
0.000
1000
0
C rss
C oss
0
6
12
18
24
30
0
6
12
18
24
30
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.8
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
8
V DS = 15 V
I D = 11 A
1.6
V GS = 10 V
I D = 11 A
1.4
6
1.2
4
1.0
2
0
0.8
0.6
0
15
30
45
60
75
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
30
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
0.05
0.04
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 11 A
10
0.03
0.02
T J = 25 °C
0.01
1
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Document Number: 71440
S-80682-Rev. B, 31-Mar-08
s
www.vishay.com
3
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI6413DQ-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
SI6423DQ-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP
SI6466ADQ-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP
SI6467BDQ-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP
SI6924AEDQ-T1-GE3 MOSFET N-CH 28V ESD 8-TSSOP
SI6926ADQ-T1-GE3 MOSFET DL N-CH 20V 4.5A 8-TSSOP
SI6928DQ-T1-GE3 MOSFET DL N-CH 30V 4A 8-TSSOP
SI6933DQ-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 30V 8-TSSOP
相关代理商/技术参数
SI6405DQ 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI6410DQ 功能描述:MOSFET 30V/20V NCh MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6410DQ-T1 功能描述:MOSFET 30V 7.8A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6410DQ-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 7.8A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6410DQ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 7.8A 1.5W 14mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6413DQ 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI6413DQ-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 8.8A 1.5W 10mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6413DQ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 8.8A 1.5W 10mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube